宽禁带半导体材料(Eg大于或等于2.3eV)被称为第三代半导体材料。主要包括金刚石、SiC、GaN等。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有禁带宽度大,电子

什么是直接禁带半导体-哪些是宽禁带半导体器
600x321 - 30KB - JPEG

什么是宽禁带半导体-新闻-RF技术社区
554x328 - 17KB - JPEG

携最新SiC功率模块亮相PCIM亚洲展--宽禁带低
598x358 - 28KB - JPEG

什么是宽禁带半导体-新闻-RF技术社区
558x609 - 68KB - JPEG

河北沧州建设宽禁带化合物半导体芯片生产基地
361x240 - 22KB - JPEG

第三代宽禁带半导体应用简析
503x445 - 41KB - JPEG

第五届中国宽禁带功率半导体产业论坛在成都召
600x400 - 99KB - JPEG

海峡两岸宽禁带半导体技术交流研讨会在山东大
500x327 - 31KB - JPEG

西电举办2017宽禁带半导体与微纳电子学111创
1489x1052 - 730KB - JPEG

氮化镓GaN、碳化硅SiC等宽禁带材料将成为电
500x289 - 20KB - JPEG

氮化镓GaN、碳化硅SiC等宽禁带材料将成为电
542x314 - 25KB - JPEG

第三代宽禁带半导体应用简析
600x301 - 18KB - JPEG

第五届中国宽禁带功率半导体产业论坛在成都召
600x400 - 65KB - JPEG

中国宽禁带功率半导体产业联盟在山东济南成立
500x344 - 99KB - GIF

一文尽知第三代宽禁带半导体应用及相关收购事
503x445 - 68KB - JPEG