多孔硅的能带结构_多孔硅

结果还表明PS微结构在400℃到500℃的退火温度范围内瓦解,并且微结构中表面的氢发生变化。多孔硅的能带变化及光致发光的研究@沈桂芬$辽宁大学物理系!辽宁沈阳1100

二氧化硅晶体结构

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MEMS中多孔硅的电学与光学特性研讨.pdf

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光子晶体光纤,光子晶体光纤的产生背景,结构及

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多孔硅

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