半导体辐射探测器 硼11【相关词_ 半导体辐射探测器】

半导体GaAs为材料制成大面积(9mm)的粒子探测嚣.经过能量为 1.5MeV, 3,1量分别为 500kGy lMGy的电子辐射和荆量分别为 300kGy ~OCo7射线辐射.探测器能正常工作,是一种

半导体辐射探测器探宝仪-全球机械网-和全球机

310x310 - 22KB - JPEG

多条Si-PIN探测器,硅半导体探测器,核辐射探测

310x201 - 9KB - JPEG

半导体辐射探测器价格\/报价

300x300 - 6KB - JPEG

半导体辐射探测器【报价大全、价格、商铺】

200x200 - 3KB - JPEG

半导体辐射探测器新

310x310 - 15KB - JPEG

《半导体辐射探测器(精装)》 鲁茨 (Lutz Gerha

300x300 - 11KB - JPEG

正版!半导体辐射探测器(精)刘忠立 编译,国防工

300x300 - 14KB - JPEG

半导体辐射探测器的原理 书+光盘_图书杂志-工

400x400 - 33KB - JPEG

半导体辐射探测器的原理 书+光盘-图书杂志-工

300x300 - 21KB - JPEG

《半导体辐射探测器(精装)》 鲁茨 (Lutz Gerha

237x346 - 14KB - JPEG

兰州半导体辐射探测器 x射线辐射测量仪 并联工

277x243 - 9KB - JPEG

溴化铊半导体材料特性及其室温核辐射探测器研

345x485 - 23KB - JPEG

半导体探测器_材料分析测试技术

690x416 - 35KB - JPEG

核辐射半导体探测器模块图片|核辐射半导体探

623x447 - 272KB - JPEG

第六章半导体探测器 辐射测量原理课件.ppt

1152x864 - 67KB - PNG