在000年Intel公布了按国际半导体工艺技术标准,达到了称之为130nm接点,90nm栅长在光刻胶上的光刻水平。Intel利用48nm波长,制造特征尺寸90nm的.道客巴巴(doc88.com)是一

亚100nm特征尺寸的纳米球光学光刻-中国光学
580x481 - 76KB - JPEG

亚100nm特征尺寸的纳米球光学光刻 - OFweek
580x523 - 89KB - JPEG

亚100nm特征尺寸的纳米球光学光刻-中国光学
580x417 - 95KB - JPEG

摩尔定律全靠它 CPU光刻技术分析与展望
500x372 - 27KB - JPEG

浸没式ArF光刻中像差对特征尺寸的影响研究.p
800x1168 - 413KB - PNG

一种利用金属层缩小π位相偏移光刻特征尺寸的
320x487 - 21KB - JPEG

为什么最近Wireline SerDes这么火?
669x385 - 68KB - JPEG

主题演讲 马博《芯片技术的领先地位和发展》
500x375 - 39KB - JPEG

第5章:光刻解释.ppt
1152x864 - 54KB - PNG

制造工艺作者刘新彭勇蒲大雁主编第9章光刻工
960x720 - 40KB - JPEG

电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺讲课.ppt
1152x864 - 45KB - PNG

光刻胶在显影后.PPT
1152x864 - 36KB - PNG

图形光刻工艺原理答案.ppt
1152x864 - 17KB - PNG

芯片--摩尔定律的传奇(下) - wzebinbin的博客 -
500x247 - 82KB - PNG

光刻机的技术原理和技术发展趋势.doc
1020x1320 - 96KB - PNG