(MOS)器件和相应的数字/模拟电路的研制受到了广泛的关注。本文重点对SiC MOS器件和CMOS倒相器以及运算放大器的温度特性进行分析研究。并基于现有工艺条件给出了

SiC材料及SiC基MOS器件理论研讨.pdf
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SiC材料及其SiC基MOS器件理论的研究.pdf文
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SiC MOS器件界面特性的ECR等离子体SiC表面
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业界首家!无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块
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碳化硅(SiC)会是功率器件的终极选择吗?-AET
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SiC MOS模块带来高频感应加热的技术革命-世
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无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产
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