半导体的常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类:第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质(如Si中的B、P、As);第二类是产生复合中心

【原创】S掺杂制备半导体性单壁碳纳米管 - 微
551x446 - 34KB - JPEG

二维半导体纳米材料磁性掺杂与自旋调控的第一
800x1131 - 58KB - PNG

【半导体掺杂】什么是掺杂半导体 - 太阳能光伏
227x427 - 37KB - JPEG

Cu掺杂GaN基稀磁半导体的第一性原理研讨.p
800x1262 - 107KB - PNG

Ag掺杂AlN半导体光电性质第一性原理研究.pd
800x1131 - 456KB - PNG

非磁性元素掺杂半导体材料中自旋极化的实验与
800x1131 - 356KB - PNG

物理所发现硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变
1410x2023 - 782KB - PNG

过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性第一性原
800x1262 - 349KB - PNG

Ge晶体基片
299x299 - 15KB - JPEG

掺杂浓度不同的半导体条(例如n掺杂的硅,从左
840x630 - 30KB - JPEG

非磁性元素掺杂半导体材料中自旋极化的实验与
800x1095 - 984KB - PNG

图解半导体制程概论1-电子电路图,电子技术资
414x479 - 80KB - JPEG

半导体所二维半导体磁性掺杂研究取得进展
500x393 - 96KB - JPEG

【三碘化锑(用于半导体掺杂)】
420x344 - 8KB - JPEG

为什么发光二极管更加节能环保
474x240 - 72KB - JPEG