重掺杂半导体使禁带变窄【相关词_ 掺杂对禁带宽度的影响】

半导体硅单晶的介电常数εr=11.8,电子和空穴的有效质量各为mn1=0.97m0,mnt=0.19m0和mpl=0.16m0,mph=0.53m0,利用类氢模型估计: 4 试求面心立方晶体的第一布里渊区。

半导体科学与技术丛书:窄禁带半导体物理学 \/褚

450x683 - 62KB - JPEG

【窄禁带半导体物理学703014414981(褚君浩

800x800 - 95KB - JPEG

【图】窄禁带半导体物理学_价格:198.00

600x837 - 43KB - JPEG

科学自然\/窄禁带半导体物理学 \/褚君浩\/书籍全新

400x400 - 14KB - JPEG

窄禁带半导体物理学\/褚君浩

300x300 - 10KB - JPEG

窄禁带半导体物理学_网上买书_收藏品交易_网

350x350 - 10KB - JPEG

窄禁带半导体物理学-百道网

300x300 - 10KB - JPEG

《窄禁带半导体物理学》, 褚君浩(编者)【摘要

346x500 - 21KB - JPEG

窄禁带半导体物理学\/褚君浩 著\/科学

200x200 - 4KB - JPEG

《窄禁带半导体物理学》,9787030144140(褚君

220x220 - 6KB - JPEG

半导体物理学例题2011.pdf

800x600 - 148KB - PNG

半导体物理5素材.ppt

960x720 - 30KB - JPEG

2010半导体物理期中试题解答.ppt

1536x864 - 155KB - PNG

半导体器件物理复习(施敏)

523x1526 - 578KB - PNG

半导体课后习题.doc

993x1404 - 89KB - PNG