宽带隙半导体材料是室温下禁带宽度大于2.2 eV的半导体。主要用于短波长发光器件、紫外光探测和高温、高功率电子器件。. 清除历史记录 声明:百科词条人人可编辑,词条创

什么是宽带隙半导体材料
300x225 - 7KB - JPEG

宽带隙太阳能电池材料及其叠层器件研究获进展
552x300 - 38KB - JPEG
具有强分子间相互作用的宽带隙聚合物材料用于
640x516 - 41KB - JPEG

宽带隙太阳能电池材料及其叠层器件研究获进展
606x260 - 29KB - JPEG

宽带隙半导体材料光学性质研究-凝聚态物理专
800x1132 - 162KB - PNG

宽带隙纳米材料超快发光现象研讨.pdf
800x1168 - 42KB - PNG

拯救摩尔定律,宽带隙半导体表现超越硅_格格妈
533x450 - 183KB - JPEG

几种宽带隙半导体材料的场发射特性研究硕士论
800x1168 - 42KB - PNG

新型宽带隙半导体材料为深紫外激光器发展提供
493x318 - 26KB - JPEG
宽带隙聚合物材料用于非富勒烯型聚合物太阳能
333x262 - 12KB - JPEG

宽带隙半导体材料与紫外光探测器分析.pptx
1152x864 - 104KB - PNG

新型宽带隙材料在电力电子产品的设计优势--第
500x333 - 30KB - JPEG

在宽带隙材料中制作高功率器件的方法
320x487 - 21KB - JPEG

新型高电导宽带隙太阳能电池窗口材料的研究.
800x1131 - 18KB - PNG

宽带隙太阳能电池材料及其叠层器件研究获进展
514x231 - 21KB - JPEG