宽禁带材料【相关词_ 宽禁带半导体材料】

宽禁带半导体 如碳化硅和Group-III氮化物宽能带隙先进半导体材料广泛应用于大功率、高频、高温电子、光电子学等领域。由于缺少适用于多层高质器件结构的同质外延基底

氮化镓GaN、碳化硅SiC等宽禁带材料将成为电

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以碳化硅为核心的宽禁带半导体材料将成为电子

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一文尽知第三代宽禁带半导体应用及相关收购事

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《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》郝跃、

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第三代宽禁带半导体应用简析

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宽禁带半导体材料和纳米材料低温光学性质研究

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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件\/郝跃

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沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材

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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件\/郝跃,张金

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