以此为基础的AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD)是GaN基电力电子器件中重要的一部分,本论文主要分为三部分对AlGaN/GaN SBD进行了研究与探讨。在进行器件制备

JTE终端碳化硅肖特基势垒二极管的设计与实验
800x1131 - 73KB - PNG

基于肖特基势垒二极管亚毫米波-电磁场与微波
800x1131 - 226KB - PNG

基于超结结构的肖特基势垒二极管.pdf全文-综合
800x1155 - 476KB - PNG

AlGaNGaN肖特基势垒二极管ATLAS仿真与实
800x1095 - 95KB - PNG

SiC肖特基势垒二极管和3CSiC异质结构及欧姆
800x1131 - 19KB - PNG

4H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究.pdf
800x1131 - 52KB - PNG

4HSiC肖特基势垒二极管自热效应及其高温封装
800x1262 - 439KB - PNG

600V4H-SiC功率JBS二极管设计与研究微电子
800x1131 - 900KB - PNG

退火处理对肖特基二极管反向击穿电压影响的研
800x1168 - 45KB - PNG

困扰肖特基半导体50余年的难题 或将被石墨烯
497x232 - 16KB - JPEG

碳化硅肖特基结的研制.pdf
800x1059 - 428KB - PNG

ICL8038线性压控振荡器设计与研究毕业论文.d
993x1404 - 71KB - PNG

SiC SJ SBD设计与仿真研究.pdf
800x1168 - 37KB - PNG

4H-SiC光晶体管的特性研究.pdf文档全文免费阅
800x1168 - 398KB - PNG

肖特基势垒二极管300100ct
1024x768 - 84KB - JPEG