率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 在宽禁带半导体材料中,氮化镓由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密 度大等问题的困扰,发展较为缓慢,但进入 90 年代后

分析三种新型半导体发光材料对半导体照明的应用
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