半导体器件新结构论文【相关词_ 半导体器件结构】

中文摘要:本论文介绍了SiGeC材料和器件特性、电路相对于SiGe器件和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的优越性。介绍了SiGeC HBT的能带结构以及Ge和C的引入对能带结构的影

重庆大学-半导体器件物理-异质结太阳能电池-课

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