万方数据宽禁带半导体电力电子器件研发新进展鹉,该器件在ぱ瓜碌耐ㄌ鹊缱栉,浪涌电 β蔒从本质上已可兼顾功率和频率.毋须像MOS2004成功的阻断电压高达的.其通态比电

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