光刻技术的突破给我们泼了冷水似乎我们需要安静

光刻机

最近一段时间，有很多关于我们国内芯片的消息，其中最具爆炸性的是我们在光刻机制造方面取得的重大突破。这个消息就像是在向人民打鸡血，纷纷称赞国内设备的进步，甚至直接威胁光刻机将很快超越ASML。

实际上是真实情况吗？据估计，许多人应该会再次失望。这次我们来谈谈具体情况。< p>

石版画

新华社上周四发布文件称，中国科学院光电技术研究所承担的国家重大研究设备开发项目“超分辨率光刻设备开发”已顺利通过成都专家组的验收。据说这是世界上第一台使用紫外线光源的分辨率为22纳米的光刻机。然而，更具误导性的是更“现实”的说法:“光刻分辨率达到22纳米，结合双曝光技术，将来可以用来制造10纳米的芯片。”《

科技景观》的小编辑说，这一突破是受欢迎的，但对于高端芯片制造来说，这一突破并不是真正的“突破”，因为我们的光刻突破相当于火器的第一次出现。与冷兵器相比，我们所看到的进步是概念上和概念上的进步，也是理论上的突破。然而，当火器首次出现时，它们远不如冷兵器强大。然而，还有很长的路要走。

光刻应用< p>

因此，必须指出的是，许多人在想到光刻机的进步时，首先会想到高端芯片光刻机。事实上，这种说法有许多误解。以我们在光刻机上的突破为例，高端芯片的制造还有很长的路要走。之所以这样说，是因为光刻机不仅用于芯片领域。

光刻应用< p>

除了芯片领域外，还有遥感成像、生化痕迹测量、特殊表面材料等领域要应用到光刻机上，而光刻机在各个行业之间有很大的不同，而这种突破性的光刻机应用到上述大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件灯等领域的光刻机制造上，这与芯片光刻机制造是相比较的。仍然有很大的差异，这也是为什么每个人都在谈论光刻突破被浇冷水的主要原因。看来我们真的需要安静下来，冷静下来，看看光刻的发展，成熟的心态，我们还有很长的路要走！< p>

光刻机

当然，这并不意味着我们的突破与芯片光刻制造无关，最重要的是为解决芯片光刻中光的衍射极限提供了一个很好的解决方案，我相信这也能给我们的芯片光刻带来很大的突破希望。