技术_国内技术突破瓶颈，芯片“风暴”即将来袭，比肩巨头指日可待？

众所周知，芯片技术一直受到科技界的重视，其结果是，小芯片对我们的生活和工作非常便利，无论是手机还是电脑，说话都离不开芯片的存在。 芯片出现以来，芯片技术不断发展，工艺、密度、体积都在发展。 但是，随着技术的进步，芯片的制造变得困难起来。 在此之前，英特尔芯片公司长期徘徊于14纳米技术之中，但并没有广泛采用10纳米技术，而是一个瓶颈。

虽然不知道是否记得当初的90nm芯片技术，但是当时被很多人认为非常先进，65nm、45nm、22nm等技术陆续登场，不断更新我们的认知。 目前的最新技术已经是台积电的7nm+EUV技术。 但是，22nm以后，芯片的处理上升幅度开始逐渐缩小，从原来的数十nm幅度到现在变成数nm幅度，进一步缩小，每次升级都非常困难。

实际上，这种情况是一个技术问题，因为现在开发的芯片的主要技术是英特尔当时的22纳米芯片技术——FinFET。 晶体管技术进步，但存在一定的天花板，纳米尺寸有限，目前晶体管能达到最小的纳米数约为4nm。 更小的技术应该采用其他技术来支持，但是在很多人的印象中，突破这个技术瓶颈的工作，基本上是芯片大型台积电或者半导体霸主三星做的。 毕竟，这两个现在是世界性的大企业。

但是最近，中国的中国科学院发表了好消息。 据中国科学院相关人士介绍，中国国内科学家发明了新型晶体管——垂直纳米栅极晶体管。 该技术被认为是未来2nm以下芯片制造的主要技术之一。 该技术现在在国际期刊上发表，获得美国发明专利。 这对我国芯片行业来说是很好的消息，打破我国半导体的冬季，很多人把这次突破称为“破冰行动”。 这也是美国想不到的吧。

从现在的形式来看，我国已经可以提升芯片的设计工作，蚂蚁、华为、紫光这样的企业已经可以开发出相当多的芯片了。 但制造行业一直是我国的障碍物，发展不大。 这次国内科学家发明这项技术，可以说帮助了中国在芯片制造行业的大突破。 对国内未来的芯片制造也发挥了良好的领导作用。

相信我国这项技术的崛起也没有被美国想到。 结果，我国在这方面一直缺乏优势，这几年首次发生了变化。 总体来说与美国这样的科学技术大国的差距还很大，但很多人对进步速度之快感到吃惊。 按照这个速度进行的话，在芯片行业，我国很快就能达到像美国和日韩这样的半导体，和肩膀的大手相比。

但是，未来还有另一项重要的技术。 那是雕刻机，不知道国内科学家什么时候能突破这项技术。 中国在半导体行业真正崛起，优于其他发达国家。