12月13日,青鲸TMT频道向海外媒体报道,三星电子将在中国西安芯片工厂增加80亿美元的投资,促进NAND闪存芯片的生产。
三星西安闪存芯片项目二期二阶段投资,至今已有108亿美元作为首期投资。 二期项目总投资150亿美元,第一阶段投资约70亿美元,第二阶段投资80亿美元。
2017年三星宣布,今后3年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。 截至目前,三星已向西安某检验和包装厂投资108亿美元。
二期工程预计2021年下半年竣工,完成后生产能力每月增加13万张,产值增加300亿元。
据业内人士透露,三星的这次投资将在全球内存市场迎来明年的反弹。 由于中国5G网络布局加快,5G设备和网络需求不断上升,明年世界存储器芯片市场反弹,增加中国芯片厂商的投资也是明智之举。