半导体表面与mis结构【相关词_ mis半决赛】

第八章半导体表面与MIS结构;重点:表面空间电荷层的性质 (表面电场效应) MIS结构的C-V特性(理想和非理性MOS电容)多子堆积状态平带状态多子耗尽状态少子反型状态硅–二

半导体表面与MIS结构

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第8章 半导体表面和MIS结构

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