半导体异质结构【相关词_ 半导体异质结】

自研究者发现InN是窄的直接带隙半导体材料(禁带宽度为0.7eV)后,InN在众多Ⅲ氮族半导体材料中脱颖而出,再加上其具有高光吸收率、高理论迁移率(~14000 cm2/VS)等特性而

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