使得导通特性曲线离纵轴(U=O)更远;同时击穿电压更高,漏电流也较大,使得击穿特性曲线离横轴(I=0)稍远。图3为功率二极管的I-U特性曲线和电路图形符号。由图3a可见,通常功

在测试稳压二极管反向伏安特性时为什么会分别
1504x1159 - 186KB - JPEG

测量普通3.3V稳压二极管的伏安特性四步曲-广
452x385 - 27KB - JPEG

普通发光二极管特性曲线-技术资料-51电子网
314x290 - 19KB - JPEG

硅与锗二极管的伏安特性曲线-技术资料-51电子
377x367 - 19KB - JPEG

稳压二极管伏安特性及曲线
492x244 - 36KB - JPEG

二极管的伏安特性曲线-技术资料-51电子网
264x253 - 5KB - JPEG

光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性_wor
231x227 - 16KB - PNG

二极管-供应整流桥 参数 普通 语音 特性 检测 工
310x310 - 23KB - JPEG

测量二极管正反向v\/i伏安特性参数和曲线的测试
279x227 - 9KB - JPEG

1.稳压二极管和普通二极管的伏安特性的规律是
500x264 - 4KB - JPEG

99稳压二极管(插件)|东莞市松盛电子有限公司
561x656 - 43KB - GIF

肖特基二极管的特点与型号命名规律
449x368 - 11KB - JPEG
普通二极管伏安特性和肖特基二极管电压电流特
669x536 - 93KB - PNG

深圳市嵩隆电子有限公司
537x324 - 11KB - JPEG

光电二极管简介
600x400 - 98KB - JPEG