采用解析的方法研究了应变Si1-xGex层中本征载流子浓度ni与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式.发现在一定掺杂

本征载流子_非本征载流子_当温度升高时,本征
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本征半导体中的两种载流子 - 电子技术 电工论
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什么是本征半导体?本征半导体载流子浓度
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计算在300K的条件下, GaN 的本征载流子浓度
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本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然
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![8.3 本征载流子浓度[精].ppt](http://txt25.book118.com/2017/0118/book84871/84870644_small.jpg)
8.3 本征载流子浓度[精].ppt
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《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表
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非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面
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非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面
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什么是本征半导体?本征半导体载流子浓度
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本征半导体的载流子浓度
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明有机共轭小分子晶体薄膜中存在半导体本征光
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本征半导体与载流子-技术资料-51电子网
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