属氧化物半导体)的污染控制要求在工艺线上进行生产(不再需要加入金这种贵金属),进而能够在200mm硅衬底上大批量生产高质量的氮化镓产品.氮化镓是一种极具潜力能替代硅

行业黑马 硅衬底LED技术书写中国专利-新闻-中
400x348 - 8KB - JPEG

硅衬底LED缘何能获国家科学技术发明一等奖
550x358 - 64KB - JPEG

硅衬底蓝光LED技术攻关路:让中国芯照亮世界
550x366 - 28KB - JPEG

南昌大学硅衬底项目获国家技术发明奖一等奖
530x348 - 22KB - JPEG

蓝宝石衬底已占据全球96.3%的LED市场 硅衬
500x335 - 27KB - JPEG

南昌大学硅衬底项目获国家技术发明奖一等奖
662x439 - 25KB - JPEG

硅衬底蓝光LED技术攻关路:让中国芯照亮世界
550x366 - 21KB - JPEG

IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量G
400x267 - 106KB - JPEG

碳化硅衬底
319x281 - 13KB - JPEG

硅衬底LED缘何能获国家科学技术发明一等奖
550x397 - 305KB - PNG

硅衬底成为全球第三条蓝光LED技术 - 土巴兔新
660x374 - 35KB - JPEG

6英寸碳化硅单晶衬底问世_技术资讯
529x208 - 103KB - JPEG

碳化硅衬底 半导体照明产业的新血液
500x330 - 75KB - JPEG

供应碳化硅衬底图片,供应碳化硅衬底图片大全
319x281 - 10KB - JPEG

江风益讲述:硅衬底LED技术是我国LED照明产
400x266 - 16KB - JPEG