固态电子器件中的半导体两端器件。起源于19世纪末发现的点接触二极管效应,发展于20世纪30年代,主要特征是具有单向导电性,即整流特性。利用不同的半导体材料、掺杂分

在测试稳压二极管反向伏安特性时为什么会分别
1504x1159 - 186KB - JPEG

硅与锗二极管的伏安特性曲线-技术资料-51电子
377x367 - 19KB - JPEG

瞬态电压抑制二极管的伏安特性曲线
600x318 - 18KB - GIF

检波二极管的结构及特性
335x269 - 7KB - JPEG

检波二极管的结构及特性
420x286 - 14KB - GIF

二极管的伏安特性曲线-技术资料-51电子网
264x253 - 5KB - JPEG

整流二极管的结构和特性
400x278 - 14KB - GIF

图】光电二极管的伏安特性曲线红外线热释遥控
845x825 - 67KB - JPEG

稳压二极管伏安特性及曲线
492x244 - 36KB - JPEG

肖特基二极管结构符号及其特性曲线图
399x296 - 7KB - GIF

初识二极管符号以及其特性和用途
600x450 - 95KB - JPEG

光电二极管的伏安特性曲线
845x825 - 78KB - JPEG

稳压二极管的结构及特性
450x378 - 15KB - GIF

测量二极管正反向v\/i伏安特性参数和曲线的测试
279x227 - 9KB - JPEG

晶体二极管+二极管的结构与伏安特性
253x278 - 13KB - GIF