内容提示:宽势阱半导体光电器件研究陈钟谋桂德成朱健钱辉作南京电子器件研究所 2 1 0 0 1 6 )1 9 9 8 0 7 1 5收稿 1 9 9 9 1 1 2 7收改稿摘要:设计了一种新型宽势阱光电探测器

金属半导体接触及其能级图.ppt 9页
1152x864 - 46KB - PNG

W-型双势阱中量子隧道效应的研究-光学专业毕
800x1114 - 380KB - PNG

光电传感器应用技术王庆有第8章第1节课件教
141x200 - 6KB - JPEG

CCD传感器及其应用研究
366x207 - 14KB - JPEG

2015第7次课第五章半导体异质结中的二维电子
960x720 - 101KB - JPEG

1半导体物理与器件-复习大纲.pptx
960x720 - 544KB - PNG

半导体物理第七章金半接触.ppt
1152x864 - 366KB - PNG

半导体物理_ 复试指导.doc
141x200 - 7KB - PNG

p-型半导体作为高效钙钛矿缺陷态的钝化材料及
580x215 - 73KB - JPEG

器件功率论文,关于第3代半导体氮化镓功率器件
567x306 - 22KB - JPEG

CCD光电测量实验报告
685x1904 - 27KB - PNG

pn结的最大耗尽层厚度
340x271 - 25KB - JPEG

微机控制DR\/ICT射线检测系统的研制
410x238 - 31KB - JPEG

电子
497x473 - 48KB - JPEG

CCD传感器
595x251 - 33KB - JPEG