单光子雪崩二极管_单光子雪崩二极管spad

摘要:基于0.18 μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950 nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P+/N阱结构,P+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效

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