宽禁带半导体特点_宽禁带半导体

大于2.2电子伏特的半导体材料。以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场强度、高截止频率、高热传导率、高结温和良好的热稳定性、强抗辐射能力等特点,这

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