汲极矽将会被快速的蚀刻掉由於采用CF4, SF6等氟原子为主的电浆气体时,其选择比不足,将对元件造成伤害,因此不适用於闸极复晶矽的蚀刻再者,这些电浆气体在蚀刻复晶矽时

复晶矽\/复晶矽电容的制造方法_专利查询_专利
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复晶矽活性离子蚀刻系统
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