氮化镓功率半导体器件技术,作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体

浅谈功率半导体的技术与未来产业发展 - 功率器件
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两大挑战有碍GaN器件全线铺开 价格有望雪崩
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新一代功率半导体替代传统硅器件从抢占IGBT
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氮化镓便宜价格 质量好吗
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氮化镓VS碳化硅 谁是最具潜力第三代宽禁带半
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SiC\/GaN功率半导体产值 2020年破10亿美元 -
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