杂质半导体 温度【相关词_ 杂质半导体】

变。温度升高,刚开始由杂质能级电离,多子少子浓度变化不同,此时多子来自杂质及本征激发,而少子来自本征激发。温度再升高,致使杂质全部电离后,半导体处于饱和区。温度继

在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化

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