GaAs载流子迁移率【相关词_ 载流子迁移率】

si,ge,gaas,gan,sic等半导体材料的禁带宽度和电子迁移率各是多少禁带宽度:1.12, 0.66, 1.42, 3.44 6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV)电子迁移率: 1350, 3800, 8000,

基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双

264x595 - 22KB - JPEG

载流子迁移率-大学\/经济\/管理\/会议论文_大专\/博

218x300 - 13KB - JPEG

SiC如此多娇,引无数厂商竞出招_资讯_信息化

503x445 - 48KB - JPEG

SiC如此多娇,引无数厂商竞出招-资讯-北极星电

317x272 - 47KB - PNG

SiC如此多娇,引无数厂商竞出招|上海中国电子

316x280 - 23KB - JPEG

地铁检测中的太赫兹相机

892x2000 - 113KB - PNG

MMRK2500霍尔,型号:Si, SiGe, SiC, GaAs, InG

300x225 - 12KB - JPEG

第四章MESFET详解.ppt

141x200 - 3KB - JPEG

红黄蓝原装HDA4745-A-160-000_测量\/计量仪

960x1280 - 177KB - JPEG

固体物理-第四章半导体的导电性教程.ppt

141x200 - 2KB - JPEG

高灵敏石墨烯霍尔传感器

779x286 - 81KB - PNG

SiC如此多娇,引无数厂商竞出招-电子通信

298x259 - 23KB - JPEG

SiC如此多娇,引无数厂商竞出招 - 我爱研发网 5

287x261 - 21KB - JPEG

中国真空网资讯

364x324 - 21KB - JPEG

02-第一章-半导体物理基础.ppt

1152x864 - 282KB - PNG